|
型号:MG17100S-BN4MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MODULE 1700V 150A 620W S3
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG17150D-BN4MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MODULE 1700V 250A 890W D3
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG1650-M16
|
制造商:
|
描述:GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG15P12E1
|
制造商:
Yangjie Technology
|
描述:Transistors - IGBTs - Modules E1
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG17300WB-BN4MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MODULE 1700V 375A 1650W WB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG150P12E2
|
制造商:
Yangjie Technology
|
描述:Transistors - IGBTs - Modules E2
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG15P12P2
|
制造商:
Yangjie Technology
|
描述:Transistors - IGBTs - Modules P2
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG150HF12TLC1
|
制造商:
Yangjie Technology
|
描述:Transistors - IGBTs - Modules C1
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG150HF12TLC2
|
制造商:
Yangjie Technology
|
描述:Transistors - IGBTs - Modules C2
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG150TF12E2A
|
制造商:
Yangjie Technology
|
描述:Transistors - IGBTs - Modules E2
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG1657-M16
|
制造商:
|
描述:GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG17450WB-BN4MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MODULE 1700V 600A 2250W WB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG15P12P3
|
制造商:
Yangjie Technology
|
描述:Transistors - IGBTs - Modules P3
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG150HF12LEC2
|
制造商:
Yangjie Technology
|
描述:Transistors - IGBTs - Modules C2
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG17300D-BN4MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MODULE 1700V 400A 1450W D3
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG17200D-BN4MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MODULE 1700V 300A 1250W D3
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG150J7KS61
|
制造商:
|
描述:IGBT MOD 600V 150A 750W
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG17100D-BN4MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MODULE 1700V 150A 690W D3
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG17225WB-BN4MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MODULE 1700V 325A 1400W WB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG150HF12MRC2
|
制造商:
Yangjie Technology
|
描述:Transistors - IGBTs - Modules C2
|
RoHs状态:RoHS
|