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型号:MG15P12P3
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制造商:
Yangjie Technology
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描述:Transistors - IGBTs - Modules P3
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG17100S-BN4MM
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制造商:
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描述:IGBT MODULE 1700V 150A 620W S3
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG17300D-BN4MM
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制造商:
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描述:IGBT MODULE 1700V 400A 1450W D3
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG1775S-BN4MM
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制造商:
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描述:IGBT MODULE 1700V 125A 520W S3
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG17100D-BN4MM
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制造商:
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描述:IGBT MODULE 1700V 150A 690W D3
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG15P12P2
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制造商:
Yangjie Technology
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描述:Transistors - IGBTs - Modules P2
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG17225WB-BN4MM
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制造商:
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描述:IGBT MODULE 1700V 325A 1400W WB
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG17300WB-BN4MM
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制造商:
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描述:IGBT MODULE 1700V 375A 1650W WB
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG17200D-BN4MM
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制造商:
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描述:IGBT MODULE 1700V 300A 1250W D3
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG150HF12TLC2
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制造商:
Yangjie Technology
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描述:Transistors - IGBTs - Modules C2
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG150P12E2
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制造商:
Yangjie Technology
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描述:Transistors - IGBTs - Modules E2
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG150J7KS61
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制造商:
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描述:IGBT MOD 600V 150A 750W
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG1643-83B
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制造商:
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描述:GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG1657-M16
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制造商:
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描述:GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG1650-M16
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制造商:
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描述:GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG15P12E1
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制造商:
Yangjie Technology
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描述:Transistors - IGBTs - Modules E1
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG150TF12E2A
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制造商:
Yangjie Technology
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描述:Transistors - IGBTs - Modules E2
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG17150D-BN4MM
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制造商:
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描述:IGBT MODULE 1700V 250A 890W D3
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG150HF12TLC1
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制造商:
Yangjie Technology
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描述:Transistors - IGBTs - Modules C1
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG17450WB-BN4MM
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制造商:
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描述:IGBT MODULE 1700V 600A 2250W WB
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RoHs状态:RoHS
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