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型号:NDD03N60ZT4G
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制造商:
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描述:MOSFET N-CH 600V 2.6A DPAK
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RoHs状态:RoHS
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型号:NDD36PT6-2AET TR
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制造商:
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描述:DDR 256MB X16 TSOPII 66L 10X22(X
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RoHs状态:RoHS
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型号:NDD03N60Z-1G
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制造商:
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描述:MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
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RoHs状态:RoHS
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型号:NDD05N50Z-1G
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制造商:
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描述:MOSFET N-CH 500V 4.7A IPAK
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RoHs状态:RoHS
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型号:NDD04N60ZT4G
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制造商:
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描述:MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK
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RoHs状态:RoHS
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型号:NDD03N80ZT4G
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制造商:
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描述:MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK-3
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RoHs状态:RoHS
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型号:NDD56PT6-2AET
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制造商:
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描述:DDR 512MB X16 TSOPII 66L 10X22(X
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RoHs状态:RoHS
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型号:NDD04N60Z-1G
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制造商:
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描述:MOSFET N-CH 600V 4.1A IPAK
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RoHs状态:RoHS
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型号:NDD36PT6-2AAT TR
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制造商:
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描述:DDR 256MB X16 TSOPII 66L 10X22(X
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RoHs状态:RoHS
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型号:NDD36PT6-2AIT
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制造商:
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描述:DDR 256MB X16 TSOPII 66L 10X22(X
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RoHs状态:RoHS
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型号:NDD05N50ZT4G
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制造商:
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描述:MOSFET N-CH 500V 4.7A DPAK
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RoHs状态:RoHS
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型号:NDD36PT6-2AAT
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制造商:
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描述:DDR 256MB X16 TSOPII 66L 10X22(X
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RoHs状态:RoHS
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型号:NDD36PT6-2AET
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制造商:
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描述:DDR 256MB X16 TSOPII 66L 10X22(X
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RoHs状态:RoHS
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型号:NDD03N80Z-1G
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制造商:
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描述:MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
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RoHs状态:RoHS
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型号:NDD03N50ZT4G
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制造商:
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描述:MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
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RoHs状态:RoHS
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型号:NDD36PFD-2AIT
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制造商:
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描述:DDR 256MB X16, FBGA, 8X13(X1.2),
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RoHs状态:RoHS
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型号:NDD04N50ZT4G
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制造商:
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描述:MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
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RoHs状态:RoHS
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型号:NDD36PT6-2AIT TR
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制造商:
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描述:IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
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RoHs状态:RoHS
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型号:NDD04N50Z-1G
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制造商:
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描述:MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
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RoHs状态:RoHS
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型号:NDD36PFD-2AIT TR
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制造商:
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描述:DDR 256MB X16, FBGA, 8X13(X1.2),
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RoHs状态:RoHS
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