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产品概述

型号 NTMD6601NR2G
厂家/品牌 onsemi
产品描述 MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
数据库 1.NTMD6601NR2G.pdf 2.NTMD6601NR2G.pdf 3.NTMD6601NR2G.pdf 4.NTMD6601NR2G.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
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产品特性

  • 型号NTMD6601NR2G
  • 制造商onsemi
  • 描述MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
  • 产品分类44
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds400pF @ 25V
  • 组态2 N-Channel (Dual)
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）1.1A
  • 漏极至源极电压（Vdss）80V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs15nC @ 10V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 安装类型Surface Mount
  • 基本产品编号NTMD66
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大600mW
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 产品状态Obsolete
  • VGS（TH）（最大）@标识3V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压215mOhm @ 2.2A, 10V
  • FET特点Logic Level Gate

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