• 集成电路 (集成电路)
  • 分立半导体产品
  • 传感器, 传感器
  • RF/IF 和 RFID
  • 继电器
  • 电位器, 可变电阻
  • 开发板、套件、程序员
所有分类 >>

NVB110N65S3F

onsemi

  • NVB110N65S3F Image
    图像可能只是一种表示。请查看产品详细规格以获取更多信息。

产品概述

型号 NVB110N65S3F
厂家/品牌 onsemi
产品描述 MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
数据库 1.NVB110N65S3F.pdf 2.NVB110N65S3F.pdf 3.NVB110N65S3F.pdf 4.NVB110N65S3F.pdf 5.NVB110N65S3F.pdf 6.NVB110N65S3F.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货: 0 pcs

参考价格(美元)
1
$4.841

在线询价

请用您的联系信息填写所有必填字段。
点击 "SUBMIT REQUEST" 我们将很快通过电子邮件与您联系。
或者给我们发电子邮件: mds@weikengsz.com

如果数量超过显示的数量,请给我们您的目标价格。

在线询价

  • $ 0.0

产品特性

  • 型号NVB110N65S3F
  • 制造商onsemi
  • 描述MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
  • 产品分类46
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 驱动电压(最大Rds开,最小Rds开)10V
  • 输入电容(Ciss)(Max)@ Vds2560 pF @ 400 V
  • 系列Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水(Id)30A (Tc)
  • 漏极至源极电压(Vdss)650 V
  • 栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs58 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 安装类型Surface Mount
  • 基本产品编号NVB110
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散(最大)240W (Tc)
  • 供应商设备封装D²PAK-3 (TO-263-3)
  • 产品状态Active
  • Vgs(最大)±30V
  • VGS(TH)(最大)@标识5V @ 3mA
  • RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压110mOhm @ 15A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

售后服务

退货

所有退货应在发票日期后60天内进行,并附上原始发票编号, 担保卡证书,
零件图片和退货原因的简要说明或测试报告。 60天后将不接受退货。退回的商品必须采用原包装并可转售
条件 由于客户在报价或销售时出现错误而退回的零件将不被接受。请联系客户服务 退货前的退货授权。

如何购买

线上和线下订单均可提供。请从以下链接中找到订单流程指南: mds@weikengsz.com
如果您有任何操作问题,请随时与我们的客服联系。

付款

预付TT(银行转账)、西联汇款、信用卡、PayPal。
客户负责运费、银行手续费、关税和税款。