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NVB110N65S3F

onsemi

  • NVB110N65S3F Image
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产品概述

型号 NVB110N65S3F
厂家/品牌 AMI Semiconductor/onsemi
产品描述 MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
数据库 1.NVB110N65S3F.pdf 2.NVB110N65S3F.pdf 3.NVB110N65S3F.pdf 4.NVB110N65S3F.pdf 5.NVB110N65S3F.pdf 6.NVB110N65S3F.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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产品特性

  • 型号NVB110N65S3F
  • 制造商AMI Semiconductor/onsemi
  • 描述MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
  • 产品分类46
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 驱动电压(最大Rds开,最小Rds开)10V
  • 输入电容(Ciss)(Max)@ Vds2560 pF @ 400 V
  • 系列Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水(Id)30A (Tc)
  • 漏极至源极电压(Vdss)650 V
  • 栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs58 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 安装类型Surface Mount
  • 基本产品编号NVB110
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散(最大)240W (Tc)
  • 供应商设备封装D²PAK-3 (TO-263-3)
  • 产品状态Active
  • Vgs(最大)±30V
  • VGS(TH)(最大)@标识5V @ 3mA
  • RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压110mOhm @ 15A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

售后服务

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