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QS8M31TR

Rohm Semiconductor

  • QS8M31TR Image
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产品概述

型号 QS8M31TR
厂家/品牌 LAPIS Technology
产品描述 QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+
数据库
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 3000 pcs

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产品特性

  • 型号QS8M31TR
  • 制造商LAPIS Technology
  • 描述QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+
  • 产品分类44
  • 产品状态3000 pcs Stock
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds270pF @ 10V, 750pF @ 10V
  • 组态N and P-Channel
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）3A (Ta), 2A (Ta)
  • 漏极至源极电压（Vdss）60V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度150°C (TJ)
  • 封装/箱体8-SMD, Flat Lead
  • 安装类型Surface Mount
  • 基本产品编号QS8M31
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大1.1W (Ta)
  • 供应商设备封装TSMT8
  • 产品状态Active
  • VGS（TH）（最大）@标识2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
  • FET特点-

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