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R6006KND3TL1

Rohm Semiconductor

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产品概述

型号 R6006KND3TL1
厂家/品牌 LAPIS Technology
产品描述 MOSFET N-CH 600V 6A TO252
数据库
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 2663 pcs

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产品特性

  • 型号R6006KND3TL1
  • 制造商LAPIS Technology
  • 描述MOSFET N-CH 600V 6A TO252
  • 产品分类46
  • 产品状态2663 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds350 pF @ 25 V
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）6A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）600 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs12 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 安装类型Surface Mount
  • 基本产品编号R6006
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）70W (Tc)
  • 供应商设备封装TO-252
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@标识5.5V @ 1mA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压830mOhm @ 3A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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