|
型号:R6030422PSYA
|
制造商:
|
描述:DIODE GP REV 400V 220A DO205AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:R6030835ESYA
|
制造商:
|
描述:DIODE GP REV 800V 350A DO205AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:R6030635ESYA
|
制造商:
|
描述:DIODE GP REV 600V 350A DO205AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:R6030ENZ4C13
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO247
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:R6030ENZC17
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:R6030ENXC7G
|
制造商:
|
描述:600V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:R602A-US915
|
制造商:
Netvox
|
描述:R602A LORAWAN SIREN SENSOR
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:R6030ENZC8
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:R6030825HSYA
|
制造商:
|
描述:DIODE GP REV 800V 250A DO205AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:R6030222PSYA
|
制造商:
|
描述:DIODE GP REV 200V 220A DO205AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:R6030235ESYA
|
制造商:
|
描述:DIODE GP REV 200V 350A DO205AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:R6025JNZC8
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:R6030225HSYA
|
制造商:
|
描述:DIODE GP REV 200V 250A DO205AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:R6025JNZC17
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:R6030435ESYA
|
制造商:
|
描述:DIODE GP REV 400V 350A DO205AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:R6030622PSYA
|
制造商:
|
描述:DIODE GP REV 600V 220A DO205AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:R6030822PSYA
|
制造商:
|
描述:DIODE GP REV 800V 220A DO205AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:R6030ENX
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:R6030ENZ1C9
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO247
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:R6030425HSYA
|
制造商:
|
描述:DIODE GP REV 400V 250A DO205AB
|
RoHs状态:RoHS
|