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RQ3E100BNTB

Rohm Semiconductor

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产品概述

型号 RQ3E100BNTB
厂家/品牌 LAPIS Technology
产品描述 MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
数据库 1.RQ3E100BNTB.pdf 2.RQ3E100BNTB.pdf 3.RQ3E100BNTB.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货: 100057 pcs

参考价格(美元)
1
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产品特性

  • 型号RQ3E100BNTB
  • 制造商LAPIS Technology
  • 描述MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
  • 产品分类46
  • 产品状态100057 pcs Stock
  • 驱动电压(最大Rds开,最小Rds开)4.5V, 10V
  • 输入电容(Ciss)(Max)@ Vds1100 pF @ 15 V
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水(Id)10A (Ta)
  • 漏极至源极电压(Vdss)30 V
  • 栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs22 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度150°C (TJ)
  • 封装/箱体8-PowerVDFN
  • 安装类型Surface Mount
  • 基本产品编号RQ3E100
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散(最大)2W (Ta)
  • 供应商设备封装8-HSMT (3.2x3)
  • 产品状态Active
  • Vgs(最大)±20V
  • VGS(TH)(最大)@标识2.5V @ 1mA
  • RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压10.4mOhm @ 10A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

售后服务

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