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SI1026X-T1-GE3

Vishay Siliconix

  • SI1026X-T1-GE3 Image
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产品概述

型号 SI1026X-T1-GE3
厂家/品牌 Vishay / Siliconix
产品描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
数据库 1.SI1026X-T1-GE3.pdf 2.SI1026X-T1-GE3.pdf 3.SI1026X-T1-GE3.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货: 339572 pcs

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产品特性

  • 型号SI1026X-T1-GE3
  • 制造商Vishay / Siliconix
  • 描述MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
  • 产品分类44
  • 产品状态339572 pcs Stock
  • 输入电容(Ciss)(Max)@ Vds30pF @ 25V
  • 组态2 N-Channel (Dual)
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 电流 - 25°C连续排水(Id)305mA
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs0.6nC @ 4.5V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体SOT-563, SOT-666
  • 安装类型Surface Mount
  • 基本产品编号SI1026
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大250mW
  • 供应商设备封装SC-89 (SOT-563F)
  • 产品状态Active
  • VGS(TH)(最大)@标识2.5V @ 250µA
  • RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压1.4Ohm @ 500mA, 10V
  • FET特点Logic Level Gate

售后服务

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