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SSM3J36MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

  • SSM3J36MFV,L3F Image
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产品概述

型号 SSM3J36MFV,L3F
厂家/品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
产品描述 MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
数据库 SSM3J36MFV,L3F.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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产品特性

  • 型号SSM3J36MFV,L3F
  • 制造商Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
  • 产品分类46
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 驱动电压(最大Rds开,最小Rds开)1.5V, 4.5V
  • 零件状态Discontinued at Digi-Key
  • 输入电容(Ciss)(Max)@ Vds43pF @ 10V
  • 详细说明P-Channel 20V 330mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
  • 系列U-MOSIII
  • 电流 - 25°C连续排水(Id)330mA (Ta)
  • 生产厂家Toshiba Semiconductor and Storage
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 湿度敏感度等级(MSL)1 (Unlimited)
  • 标准套餐1
  • 栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs1.2nC @ 4V
  • 无铅状态/ RoHS状态Lead free / RoHS Compliant
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度150°C (TJ)
  • 封装/箱体SOT-723
  • 封装Digi-Reel®
  • 安装类型Surface Mount
  • 功率耗散(最大)150mW (Ta)
  • 其他名称SSM3J36MFV(TL3T)DKR
    SSM3J36MFV(TL3T)DKR-ND
    SSM3J36MFVL3FDKR
  • 供应商设备封装VESM
  • Vgs(最大)±8V
  • VGS(TH)(最大)@标识-
  • RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V
  • FET特点-
  • FET型P-Channel

售后服务

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