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SSM6J503NU,LF(T

Toshiba Semiconductor and Storage

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产品概述

型号 SSM6J503NU,LF(T
厂家/品牌 TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
产品描述 MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
数据库 SSM6J503NU,LF(T.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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产品特性

  • 型号SSM6J503NU,LF(T
  • 制造商TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 描述MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
  • 产品分类46
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）1.5V, 4.5V
  • 零件状态Active
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds840pF @ 10V
  • 详细说明P-Channel 20V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
  • 系列U-MOSVI
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）6A (Ta)
  • 生产厂家Toshiba Semiconductor and Storage
  • 漏极至源极电压（Vdss）20V
  • 湿度敏感度等级（MSL）1 (Unlimited)
  • 标准套餐1
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs12.8nC @ 10V
  • 无铅状态/ RoHS状态Lead free / RoHS Compliant
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度150°C (TJ)
  • 封装/箱体6-WDFN Exposed Pad
  • 封装Digi-Reel®
  • 安装类型Surface Mount
  • 功率耗散（最大）1W (Ta)
  • 其他名称SSM6J503NULF(TDKR
    SSM6J503NULFDKR
    SSM6J503NULFDKR-ND
  • 供应商设备封装6-UDFNB (2x2)
  • Vgs（最大）±8V
  • VGS（TH）（最大）@标识1V @ 1mA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压32.4 mOhm @ 3A, 4.5V
  • FET特点-
  • FET型P-Channel

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