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首  页 > 产品展示 > 分立半导体产品 > 晶体管-fet, mosfet 单 > TK10A60E,S4X

TK10A60E,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

  • TK10A60E,S4X Image
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产品概述

型号 TK10A60E,S4X
厂家/品牌 TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
产品描述 MOSFET N-CH 600V TO220SIS
数据库 TK10A60E,S4X.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 139 pcs

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产品特性

  • 型号TK10A60E,S4X
  • 制造商TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 描述MOSFET N-CH 600V TO220SIS
  • 产品分类46
  • 产品状态139 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）10V
  • 零件状态Active
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds1300pF @ 25V
  • 详细说明N-Channel 600V 10A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • 系列-
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）10A (Ta)
  • 生产厂家Toshiba Semiconductor and Storage
  • 漏极至源极电压（Vdss）600V
  • 湿度敏感度等级（MSL）1 (Unlimited)
  • 标准套餐50
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs40nC @ 10V
  • 无铅状态/ RoHS状态Lead free / RoHS Compliant
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-220-3 Full Pack
  • 封装Tube
  • 安装类型Through Hole
  • 功率耗散（最大）45W (Tc)
  • 其他名称TK10A60E,S4X(S
    TK10A60E,S5X
    TK10A60E,S5X(M
    TK10A60ES4X
    TK10A60ES4X(S
    TK10A60ES4X(S-ND
    TK10A60ES5X
    TK10A60ES5X-ND
  • 供应商设备封装TO-220SIS
  • Vgs（最大）±30V
  • VGS（TH）（最大）@标识4V @ 1mA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压750 mOhm @ 5A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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