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TK10J80E,S1E

Toshiba Semiconductor and Storage

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产品概述

型号 TK10J80E,S1E
厂家/品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
产品描述 MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
数据库
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 15 pcs

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产品特性

  • 型号TK10J80E,S1E
  • 制造商Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
  • 产品分类46
  • 产品状态15 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds2000 pF @ 25 V
  • 系列π-MOSVIII
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）10A (Ta)
  • 漏极至源极电压（Vdss）800 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs46 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-3P-3, SC-65-3
  • 安装类型Through Hole
  • 基本产品编号TK10J80
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）250W (Tc)
  • 供应商设备封装TO-3P(N)
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±30V
  • VGS（TH）（最大）@标识4V @ 1mA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压1Ohm @ 5A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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