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TK12J60W,S1VE(S

Toshiba Semiconductor and Storage

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产品概述

型号 TK12J60W,S1VE(S
厂家/品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
产品描述 MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P
数据库
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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产品特性

  • 型号TK12J60W,S1VE(S
  • 制造商Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P
  • 产品分类46
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds890 pF @ 300 V
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）11.5A (Ta)
  • 漏极至源极电压（Vdss）600 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs25 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度150°C
  • 封装/箱体TO-3P-3, SC-65-3
  • 安装类型Through Hole
  • 基本产品编号TK12J60
  • 包裹Tray
  • 功率耗散（最大）110W (Tc)
  • 供应商设备封装TO-3P(N)
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±30V
  • VGS（TH）（最大）@标识3.7V @ 600µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压300mOhm @ 5.8A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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