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TK17E65W,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

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产品概述

型号 TK17E65W,S1X
厂家/品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
产品描述 MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
数据库
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 50 pcs

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产品特性

  • 型号TK17E65W,S1X
  • 制造商Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
  • 产品分类46
  • 产品状态50 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds1800 pF @ 300 V
  • 系列DTMOSIV
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）17.3A (Ta)
  • 漏极至源极电压（Vdss）650 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs45 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-220-3
  • 安装类型Through Hole
  • 基本产品编号TK17E65
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）165W (Tc)
  • 供应商设备封装TO-220
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±30V
  • VGS（TH）（最大）@标识3.5V @ 900µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压200mOhm @ 8.7A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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