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首  页 > 产品展示 > 分立半导体产品 > 晶体管-fet, mosfet 单 > TK6A65D(STA4,Q,M)

TK6A65D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

  • Toshiba Semiconductor and Storage
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产品概述

型号 TK6A65D(STA4,Q,M)
厂家/品牌 TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
产品描述 MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
数据库
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 56 pcs

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产品特性

  • 型号TK6A65D(STA4,Q,M)
  • 制造商TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 描述MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
  • 产品分类46
  • 产品状态56 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds1050 pF @ 25 V
  • 系列π-MOSVII
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）6A (Ta)
  • 漏极至源极电压（Vdss）650 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs20 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-220-3 Full Pack
  • 安装类型Through Hole
  • 基本产品编号TK6A65
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）45W (Tc)
  • 供应商设备封装TO-220SIS
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±30V
  • VGS（TH）（最大）@标识4V @ 1mA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压1.11Ohm @ 3A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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