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TP65H300G4LSG-TR

Transphorm

  • Transphorm
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产品概述

型号 TP65H300G4LSG-TR
厂家/品牌 Transphorm
产品描述 GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
数据库 TP65H300G4LSG-TR.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 6744 pcs

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产品特性

  • 型号TP65H300G4LSG-TR
  • 制造商Transphorm
  • 描述GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
  • 产品分类46
  • 产品状态6744 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）8V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds760 pF @ 400 V
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）6.5A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）650 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs9.6 nC @ 8 V
  • 技术GaNFET (Gallium Nitride)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体3-PowerDFN
  • 安装类型Surface Mount
  • 基本产品编号TP65H300
  • 包裹Cut Tape (CT)
  • 功率耗散（最大）21W (Tc)
  • 供应商设备封装3-PQFN (8x8)
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±18V
  • VGS（TH）（最大）@标识2.6V @ 500µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压312mOhm @ 5A, 8V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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