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TPC8212-H(TE12LQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

  • TPC8212-H(TE12LQ,M Image
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产品概述

型号 TPC8212-H(TE12LQ,M
厂家/品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
产品描述 MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
数据库 1.TPC8212-H(TE12LQ,M.pdf 2.TPC8212-H(TE12LQ,M.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
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产品特性

  • 型号TPC8212-H(TE12LQ,M
  • 制造商Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
  • 产品分类44
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds840pF @ 10V
  • 组态2 N-Channel (Dual)
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）6A
  • 漏极至源极电压（Vdss）30V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs16nC @ 10V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度150°C (TJ)
  • 封装/箱体8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 安装类型Surface Mount
  • 基本产品编号TPC8212
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大450mW
  • 供应商设备封装8-SOP (5.5x6.0)
  • 产品状态Obsolete
  • VGS（TH）（最大）@标识2.3V @ 1mA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压21mOhm @ 3A, 10V
  • FET特点Logic Level Gate

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