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TPCF8101(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

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产品概述

型号 TPCF8101(TE85L,F,M
厂家/品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
产品描述 MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
数据库 1.TPCF8101(TE85L,F,M.pdf 2.TPCF8101(TE85L,F,M.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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产品特性

  • 型号TPCF8101(TE85L,F,M
  • 制造商Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
  • 产品分类46
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）1.8V, 4.5V
  • 零件状态Discontinued at Digi-Key
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds1600pF @ 10V
  • 详细说明P-Channel 12V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
  • 系列U-MOSIII
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）6A (Ta)
  • 生产厂家Toshiba Semiconductor and Storage
  • 漏极至源极电压（Vdss）12V
  • 湿度敏感度等级（MSL）1 (Unlimited)
  • 标准套餐1
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs18nC @ 5V
  • 无铅状态/ RoHS状态Lead free / RoHS Compliant
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度150°C (TJ)
  • 封装/箱体8-SMD, Flat Lead
  • 封装Cut Tape (CT)
  • 安装类型Surface Mount
  • 功率耗散（最大）700mW (Ta)
  • 其他名称TPCF8101(TE85LFMCT
    TPCF8101FCT
    TPCF8101FCT-ND
  • 供应商设备封装VS-8 (2.9x1.5)
  • Vgs（最大）±8V
  • VGS（TH）（最大）@标识1.2V @ 200µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压28 mOhm @ 3A, 4.5V
  • FET特点-
  • FET型P-Channel

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