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TPH3206LSGB

Transphorm

  • Transphorm
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产品概述

型号 TPH3206LSGB
厂家/品牌 Transphorm
产品描述 GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
数据库 1.TPH3206LSGB.pdf 2.TPH3206LSGB.pdf 3.TPH3206LSGB.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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产品特性

  • 型号TPH3206LSGB
  • 制造商Transphorm
  • 描述GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
  • 产品分类46
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 驱动电压(最大Rds开,最小Rds开)8V
  • 输入电容(Ciss)(Max)@ Vds720 pF @ 480 V
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水(Id)16A (Tc)
  • 漏极至源极电压(Vdss)650 V
  • 栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs6.2 nC @ 4.5 V
  • 技术GaNFET (Gallium Nitride)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体3-PowerDFN
  • 安装类型Surface Mount
  • 包裹Tray
  • 功率耗散(最大)81W (Tc)
  • 供应商设备封装3-PQFN (8x8)
  • 产品状态Obsolete
  • Vgs(最大)±18V
  • VGS(TH)(最大)@标识2.6V @ 500µA
  • RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压180mOhm @ 10A, 8V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

售后服务

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