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产品概述

型号 TPH3212PS
厂家/品牌 Transphorm
产品描述 GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
数据库 1.TPH3212PS.pdf 2.TPH3212PS.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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产品特性

  • 型号TPH3212PS
  • 制造商Transphorm
  • 描述GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
  • 产品分类46
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds1130 pF @ 400 V
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）27A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）650 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs14 nC @ 8 V
  • 技术GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-220-3
  • 安装类型Through Hole
  • 基本产品编号TPH3212
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）104W (Tc)
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 产品状态Obsolete
  • Vgs（最大）±18V
  • VGS（TH）（最大）@标识2.6V @ 400uA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压72mOhm @ 17A, 8V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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