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TPN22006NH,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

  • Toshiba Semiconductor and Storage
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产品概述

型号 TPN22006NH,LQ
厂家/品牌 TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
产品描述 MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
数据库
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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产品特性

  • 型号TPN22006NH,LQ
  • 制造商TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 描述MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
  • 产品分类46
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）6.5V, 10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds710 pF @ 30 V
  • 系列U-MOSVIII-H
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）9A (Ta)
  • 漏极至源极电压（Vdss）60 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs12 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度150°C (TJ)
  • 封装/箱体8-PowerVDFN
  • 安装类型Surface Mount
  • 基本产品编号TPN22006
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）700mW (Ta), 18W (Tc)
  • 供应商设备封装8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@标识4V @ 100µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压22mOhm @ 4.5A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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