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TPW5200FNH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

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产品概述

型号 TPW5200FNH,L1Q
厂家/品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
产品描述 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
数据库
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 4986 pcs

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产品特性

  • 型号TPW5200FNH,L1Q
  • 制造商Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
  • 产品分类46
  • 产品状态4986 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds2200 pF @ 100 V
  • 系列U-MOSVIII-H
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）26A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）250 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs22 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度150°C
  • 封装/箱体8-PowerWDFN
  • 安装类型Surface Mount
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）800mW (Ta), 142W (Tc)
  • 供应商设备封装8-DSOP Advance
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@标识4V @ 1mA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压52mOhm @ 13A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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