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ZXMN3A06DN8TA

Diodes Incorporated

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产品概述

型号 ZXMN3A06DN8TA
厂家/品牌 Diodes Incorporated
产品描述 MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
数据库 1.ZXMN3A06DN8TA.pdf 2.ZXMN3A06DN8TA.pdf 3.ZXMN3A06DN8TA.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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产品特性

  • 型号ZXMN3A06DN8TA
  • 制造商Diodes Incorporated
  • 描述MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
  • 产品分类44
  • 产品状态514 pcs Stock
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds796pF @ 25V
  • 组态2 N-Channel (Dual)
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）4.9A
  • 漏极至源极电压（Vdss）30V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs17.5nC @ 10V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 安装类型Surface Mount
  • 基本产品编号ZXMN3
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大1.8W
  • 供应商设备封装8-SO
  • 产品状态Active
  • VGS（TH）（最大）@标识1V @ 250µA (Min)
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压35mOhm @ 9A, 10V
  • FET特点Logic Level Gate

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